二价铜离子在碱性环境下极易生成氢氧化铜沉淀，需加入过量的氨水，使之生成稳定的氨铜错离子团；过量的氨使反应生成的不稳定Cu(NH3)2Cl 再生成稳定的具有氧化性的Cu(NH3)4Cl2，使反应不断的进行。

生产过程中自动控制通过监测PH值，比重，进行补加氨水和新液，而达到连续生产的目的。

3）蚀刻工艺流程及原理

一.酸性氯化铜蚀刻 

1.工艺流程

2.工艺原理

—显影

定义：利用碳酸钠的弱碱性将干膜上未经紫外线辐射的部分用碳酸钠溶液溶解，已经紫外线辐射而发生聚合反应的部分保留。

—原理

CO3-2  + ResistCOOH        HCO3-  + Resist COO-

CO3-2主要为Na2CO3 或K2CO3   

ResistTOOH为干膜及油墨中反应官能基团，利用CO3-2与阻剂中羧基（COOH）进行酸碱中和反应，形成COO-和H CO3- ，使阻剂形成阴离子团而剥离。  

－蚀刻

定义：将溶解了干膜（湿膜）而露出的铜面用酸性氯化铜溶解腐蚀，此过程叫蚀刻。

影响因素：主要是溶液中Cl- 、Cu+的含量，溶液的温度及Cu2+的浓度等。

－褪膜

药水：NaOH  3+/-0.5%

除泡剂0.1～0.2％

定义：将线路上的保护膜去掉，露出已加工好的线路。影响褪膜效果因素：褪膜温度及速度，药水浓度

注意：褪膜温度低，速度慢，药水浓度低，会导致褪膜不净；药水浓度高，会导致板面氧化。

褪膜段喷嘴要及时清洗，防止碎片堵塞喷嘴，影响褪膜质量

二.碱性蚀刻 

1.工艺流程

注：整孔工序仅适用于沉金制板

2.工艺原理

－褪膜

定义：用褪菲林液将线路板面上盖住的菲林褪去,露出未经线路加工的铜面.经电镀工序后的干膜在碱性褪膜液下溶解或部分成片状脱落,我司使用的是3% ±0.5%氢氧化钠溶液.为维持药液的效果,需注意过滤的效果,及时过滤去片状的干膜碎,防止堵塞喷嘴. 

注：内外层褪膜段使用药水及控制相同，但外层干膜厚为1.5mil左右,经图形电镀后，铜厚和锡厚之和通常超过1.5mil，需控制图形电镀电流参数防止夹膜，同时控制褪膜速度以防褪膜不净而短路。